IRLR2705TRLPBF 与 IPD350N06L G 区别
| 型号 | IRLR2705TRLPBF | IPD350N06L G |
|---|---|---|
| 吃瓜编号 | A-IRLR2705TRLPBF | A-IPD350N06L G |
| 制造商 | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| 供应商 | 吃瓜自营 | 吃瓜自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | Single HexFet 55 V 68 W 25 nC Surface Mount Mosfet - TO-263-3 | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 宽度 | - | 6.22mm |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 40mΩ@17A,10V | 35mΩ@29A,10V |
| 上升时间 | - | 21ns |
| Qg-栅极电荷 | - | 10nC |
| 栅极电压Vgs | ±16V | 10V |
| 封装/外壳 | D-Pak | TO-252-3 |
| 工作温度 | -55°C~175°C(TJ) | -55°C~175°C |
| 连续漏极电流Id | 28A | 29A |
| 配置 | - | Single |
| 长度 | - | 6.5mm |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 4V,10V | - |
| 下降时间 | - | 20ns |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 2V @ 250µA | - |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 880pF @ 25V | - |
| 高度 | - | 2.3mm |
| 漏源极电压Vds | 55V | 60V |
| Pd-功率耗散(Max) | 68W(Tc) | 68W |
| 典型关闭延迟时间 | - | 29ns |
| FET类型 | N-Channel | N-Channel |
| 系列 | HEXFET® | OptiMOS2 |
| 通道数量 | - | 1Channel |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 2V @ 250µA | - |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 880pF @ 25V | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 25nC @ 5V | - |
| 典型接通延迟时间 | - | 6ns |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 25nC @ 5V | - |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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IRLR2705TRLPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±16V 68W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 40mΩ@17A,10V N-Channel 55V 28A D-Pak |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
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STD20NF06LT4 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-252-3 |
暂无价格 | 70,000 | 对比 |
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STD16NF06T4 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-252-3 |
暂无价格 | 30,000 | 对比 |
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STD20NF06T4 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-252-3 |
暂无价格 | 7,500 | 对比 |
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STD20NF06LT4 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-252-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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IPD350N06L G | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
60V 29A 35mΩ@29A,10V 10V 68W N-Channel -55°C~175°C TO-252-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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